买卖IC网 >> 产品目录 >> NTJD3158CT1G MOSFET 20V .63A/-.82A 630mA COMPLEMENTARY datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

NTJD3158CT1G

库存数量：可订货
制造商：ON Semiconductor
描述：MOSFET 20V .63A/-.82A 630mA COMPLEMENTARY
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET 20V .63A/-.82A 630mA COMPLEMENTARY
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制造商 ON Semiconductor
晶体管极性 N and P-Channel
汲极/源极击穿电压 20 V
闸/源击穿电压 +/- 12 V
漏极连续电流 + 0.63 A, - 0.82 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 375 mOhms at 4.5 V at N Channel, 300 mOhms at 4.5 V at P Channel
配置 Dual
最大工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 SC-88-6
封装 Reel
相关资料
属性
链接
代理商 NTJD3158CT1G
NTJD3158CT2G
NTJD4001N
NTJD4001NT1
NTJD4001NT1G
NTJD4001NT2G
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  • NTJD3158CT1G 参考价格
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